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为了能够进一步提高Sn的空位率以实现载流子浓度的进一步优化，城全作该团队首次实现了Cd掺杂的SnSe微米级单晶片，城全作如图6所示，使热电优值得到了进一步的提高。水润上精（b）制备工艺温度参数。

花开以及(e)与单晶样品在中低温条件下的热电优值对比。同时，济南该团队发现随着铜掺杂浓度的提升，硒化锡单晶的择优生长会发生变化，由板条状逐渐向带状过渡，进而降低了烧结块体材料的各向异性。国科革试耕细（d）烧结块体切片的TEM照片。

铜的掺杂导致晶格收缩，创金并能够在晶格中引入纳米级应力区，造成局部晶格畸变。融改这种材料所展现出来的优异的热电性能得益于其较低的热导率（0.24Wm-1 K-1）。

验田图6 Cd掺杂的SnSe（a）计算得到的载流子浓度与功率因子及热导率的关系。

邹进教授在ISI9（WebofScience）刊物上已发表学术论文650多篇，千泉其多数论文发表在国际知名刊物上并被引用18,000次。城全作F,G)沿D图和E图中X-Y线的相应强度分布。

【成果简介】近日，水润上精中国科学技术大学谢毅院士、水润上精孙永福研究员(共同通讯作者)等设计了带正电荷的单原子金属电催化剂，大大降低了过电势，CO2电还原性能进而得到提升，并在Adv.Mater.上发表了题为EfficientandRobustCarbonDioxideElectroreductionEnabledbyAtomicallyDispersedSnδ+Sites的研究论文。F)使用IFEFFIT的ARTEMIS模块的k3加权EXAFS光谱的拟合曲线，花开内插为相应的原子模型。

济南B)SnK边EXAFS光谱的傅立叶变换(FT)。然而，国科革试耕细对于上述金属结构，存在的丰富微观结构(包括界面，晶界和表面粗糙度)导致无法确定其活性位点是否为带正电荷的金属物质。